Utarbeidelsen av høykvalitets silisiumkarbidepitaksi avhenger av avansert teknologi og utstyr og utstyrstilbehør. For tiden er den mest brukte silisiumkarbidepitakse-vekstmetoden kjemisk dampavsetning (CVD). Den har fordelene med presis kontroll av epitaksial filmtykkelse og dopingkonsentrasjon, færre defekter, moderat veksthastighet, automatisk prosesskontroll, etc., og er en pålitelig teknologi som har vært vellykket brukt kommersielt.
Silisiumkarbid-CVD-epitaksi bruker generelt varmvegg- eller varmvegg-CVD-utstyr, som sikrer fortsettelsen av epitaksylag 4H krystallinsk SiC under høye veksttemperaturforhold (1500 ~ 1700 ℃), varmvegg eller varmvegg-CVD etter år med utvikling, ifølge forholdet mellom innløpsluftstrømretningen og substratoverflaten, Reaksjonskammeret kan deles inn i horisontal strukturreaktor og vertikal strukturreaktor.
Det er tre hovedindikatorer for kvaliteten på SIC epitaksial ovn, den første er epitaksial vekst ytelse, inkludert tykkelse uniformitet, doping uniformitet, defekt rate og vekstrate; Den andre er temperaturytelsen til selve utstyret, inkludert oppvarmings-/kjølehastighet, maksimal temperatur, temperaturensartethet; Til slutt, kostnadsytelsen til selve utstyret, inkludert prisen og kapasiteten til en enkelt enhet.
Varmvegg horisontal CVD (typisk modell PE1O6 fra LPE-selskapet), varmvegg planetarisk CVD (typisk modell Aixtron G5WWC/G10) og quasi-hot wall CVD (representert av EPIREVOS6 fra Nuflare-selskapet) er de generelle tekniske løsningene for epitaksialutstyr som har blitt realisert i kommersielle applikasjoner på dette stadiet. De tre tekniske enhetene har også sine egne egenskaper og kan velges etter behov. Strukturen deres er vist som følger:
De tilsvarende kjernekomponentene er som følger:
(a) Varmvegg horisontal type kjernedel- Halfmoon Parts består av
Nedstrøms isolasjon
Hovedisolasjon øvre
Øvre halvmåne
Oppstrøms isolasjon
Overgangsstykke 2
Overgangsstykke 1
Utvendig luftdyse
Konisk snorkel
Ytre argongassmunnstykke
Argongass munnstykke
Wafer støtteplate
Sentreringsstift
Sentralvakt
Nedstrøms venstre beskyttelsesdeksel
Nedstrøms høyre beskyttelsesdeksel
Oppstrøms venstre beskyttelsesdeksel
Oppstrøms høyre beskyttelsesdeksel
Sidevegg
Grafittring
Beskyttende filt
Støttende filt
Kontaktblokk
Gassutløpssylinder
(b) Planetarisk type varmvegg
SiC-belegg Planetary Disk & TaC-belagt Planetary Disk
(c) Kvasitermisk veggstående type
Nuflare (Japan): Dette selskapet tilbyr vertikale tokammerovner som bidrar til økt produksjonsutbytte. Utstyret har høyhastighetsrotasjon på opptil 1000 omdreininger per minutt, noe som er svært fordelaktig for epitaksial jevnhet. I tillegg skiller luftstrømretningen seg fra annet utstyr, og er vertikalt nedover, og minimerer dermed genereringen av partikler og reduserer sannsynligheten for at partikkeldråper faller ned på skivene. Vi leverer kjerne SiC-belagt grafittkomponenter til dette utstyret.
Som en leverandør av SiC epitaksial utstyrskomponenter, er VeTek Semiconductor forpliktet til å gi kundene høykvalitets beleggskomponenter for å støtte vellykket implementering av SiC epitaksi.
VeTek Semiconductor er en profesjonell produsent og leder av SiC-belagte waferholderprodukter i Kina. SiC-belagt waferholder er en waferholder for epitaksiprosessen i halvlederbehandling. Det er en uerstattelig enhet som stabiliserer waferen og sikrer jevn vekst av epitaksiallaget. Velkommen til din videre konsultasjon.
Les merSend forespørselVeTek Semiconductor er en profesjonell Epi Wafer Holder-produsent og fabrikk i Kina. Epi Wafer Holder er en waferholder for epitaksiprosessen i halvlederbehandling. Det er et nøkkelverktøy for å stabilisere waferen og sikre jevn vekst av epitaksiallaget. Det er mye brukt i epitaksiutstyr som MOCVD og LPCVD. Det er en uerstattelig enhet i epitaksiprosessen. Velkommen til din videre konsultasjon.
Les merSend forespørselSom en profesjonell Aixtron Satellite Wafer Carrier-produktprodusent og innovatør i Kina, er VeTek Semiconductors Aixtron Satellite Wafer Carrier en wafer-bærer som brukes i AIXTRON-utstyr, hovedsakelig brukt i MOCVD-prosesser i halvlederbehandling, og er spesielt egnet for høy temperatur og høy presisjon halvlederbehandlingsprosesser. Bæreren kan gi stabil waferstøtte og jevn filmavsetning under MOCVD-epitaksial vekst, noe som er avgjørende for lagavsetningsprosessen. Velkommen til din videre konsultasjon.
Les merSend forespørselVeTek Semiconductor er en profesjonell LPE Halfmoon SiC EPI Reactor-produktprodusent, innovatør og leder i Kina. LPE Halfmoon SiC EPI Reactor er en enhet spesielt utviklet for å produsere høykvalitets silisiumkarbid (SiC) epitaksiale lag, hovedsakelig brukt i halvlederindustrien. VeTek Semiconductor er forpliktet til å tilby ledende teknologi og produktløsninger for halvlederindustrien, og tar gjerne imot dine ytterligere henvendelser.
Les merSend forespørselSom en profesjonell CVD SiC-belagt takprodusent og leverandør i Kina, har VeTek Semiconductors CVD SiC-belagte tak utmerkede egenskaper som høy temperaturbestandighet, korrosjonsmotstand, høy hardhet og lav termisk ekspansjonskoeffisient, noe som gjør det til et ideelt materialvalg i halvlederproduksjon. Vi ser frem til videre samarbeid med deg.
Les merSend forespørselVetek Semiconductors CVD SiC grafittsylinder er sentral i halvlederutstyr, og fungerer som et beskyttende skjold i reaktorer for å beskytte interne komponenter i høye temperatur- og trykkinnstillinger. Den beskytter effektivt mot kjemikalier og ekstrem varme, og bevarer utstyrets integritet. Med eksepsjonell slitasje- og korrosjonsbestandighet sikrer den lang levetid og stabilitet i utfordrende miljøer. Bruk av disse dekslene forbedrer halvlederenhetens ytelse, forlenger levetiden og reduserer vedlikeholdskrav og skaderisiko. Velkommen til å spørre oss.
Les merSend forespørsel