Porøs tantalkarbid

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) er et høyytelses keramisk materiale som kombinerer egenskapene til tantal og karbon. Dens porøse struktur er svært egnet for spesifikke bruksområder i høye temperaturer og ekstreme miljøer. TaC kombinerer utmerket hardhet, termisk stabilitet og kjemisk motstand, noe som gjør det til et ideelt materialvalg i halvlederbehandling.

Porøst tantalkarbid (TaC) er sammensatt av tantal (Ta) og karbon (C), hvor tantal danner en sterk kjemisk binding med karbonatomer, noe som gir materialet ekstremt høy holdbarhet og slitestyrke. Den porøse strukturen til Porous TaC skapes under produksjonsprosessen av materialet, og porøsiteten kan kontrolleres i henhold til spesifikke bruksbehov. Dette produktet er vanligvis produsert avkjemisk dampavsetning (CVD)metode, som sikrer presis kontroll over porestørrelsen og distribusjonen.

Molekylær struktur av tantalkarbid

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) har følgende produktegenskaper

●  Porøsitet: Den porøse strukturen gir den forskjellige funksjoner i spesifikke bruksscenarier, inkludert gassdiffusjon, filtrering eller kontrollert varmespredning.

●  Høyt smeltepunktTantalkarbid har et ekstremt høyt smeltepunkt på ca. 3 880°C, som er egnet for ekstremt høye temperaturer.

●  Utmerket hardhet: Porøs TaC har en ekstremt høy hardhet på ca. 9-10 i Mohs hardhetsskala, lik diamant. , og kan motstå mekanisk slitasje under ekstreme forhold.

●  Termisk stabilitet: Tantalkarbid (TaC)-materiale kan forbli stabilt i miljøer med høye temperaturer og har sterk termisk stabilitet, noe som sikrer jevn ytelse i miljøer med høye temperaturer.

●  Høy varmeledningsevne: Til tross for porøsiteten beholder porøs tantalkarbid fortsatt god varmeledningsevne, noe som sikrer effektiv varmeoverføring.

●  Lav termisk ekspansjonskoeffisient: Den lave termiske ekspansjonskoeffisienten til tantalkarbid (TaC) hjelper materialet med å holde seg dimensjonsstabilt under betydelige temperatursvingninger og reduserer virkningen av termisk stress.

Fysiske egenskaper til TaC-belegg

I halvlederproduksjon spiller porøs tantalkarbid (TaC) følgende spesifikke nøkkelrolles

I høytemperaturprosesser som f.eksplasma-etsingog CVD, VeTek halvleder porøs tantalkarbid brukes ofte som et beskyttende belegg for prosessutstyr. Dette skyldes den sterke korrosjonsmotstanden tilTaC beleggog dens stabilitet ved høye temperaturer. Disse egenskapene sikrer at den effektivt beskytter overflater som er utsatt for reaktive gasser eller ekstreme temperaturer, og sikrer dermed normal reaksjon ved høytemperaturprosesser.

I diffusjonsprosesser kan porøs tantalkarbid tjene som en effektiv diffusjonsbarriere for å forhindre blanding av materialer i høytemperaturprosesser. Denne funksjonen brukes ofte til å kontrollere diffusjonen av dopingmidler i prosesser som ioneimplantasjon og renhetskontrollen av halvlederskiver.

Den porøse strukturen til VeTek halvleder porøs tantalkarbid er svært egnet for halvlederbehandlingsmiljøer som krever nøyaktig gassstrømkontroll eller filtrering. I denne prosessen spiller porøs TaC hovedsakelig rollen som gassfiltrering og distribusjon. Dens kjemiske treghet sikrer at ingen forurensninger introduseres under filtreringsprosessen. Dette garanterer effektivt renheten til det behandlede produktet.

Tantalkarbid (TaC) belegg på et mikroskopisk tverrsnitt