silisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmer

VeTek Semiconductor Silisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmerkombinerer den utmerkede elektriske og termiske ledningsevnen til grafitt med den høye temperaturmotstanden, korrosjonsmotstanden og slitestyrken til silisiumkarbon keramisk belegg, og er designet for tøffe produksjonsmiljøer for halvledere. 

Silisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmerbrukes hovedsakelig i vakuumbeleggingsutstyr (fordampning), og metodene som vanligvis brukes er PCD (Plasma Chemical Drying) og PVD (Physical vapor deposition). Dette produktet har spilt en viktig rolle i å fremme teknologisk fremgang og forbedre produksjonseffektiviteten i halvlederindustrien.Vi ser frem til videre samarbeid med deg.

Materialet og de strukturelle egenskapene til silisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmer er som følger:

Grafittsubstrat: Grafitt er kjent for sin høye varmeledningsevne og lave varmeutvidelseskoeffisient. Den kan reagere raskt på temperaturendringer og opprettholde strukturell stabilitet ved høye temperaturer.

Silisium karbon keramisk belegg: SiC-belegg er jevnt belagt på grafittoverflaten gjennom kjemisk dampavsetning eller andre avanserte prosesser. SiC har ekstremt høy hardhet og kjemisk korrosjonsbestandighet, noe som kan beskytte grafittsubstratet mot høytemperaturoksidasjon og korrosive miljøer.

Den spesielle produktets strukturelle design av silisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmer bestemmerde uerstattelige produktfordelene til dette produktet i halvlederprosesseringsprosessen:

Effektiv og jevn oppvarming:

Termisk ledningsevne: Den høye termiske ledningsevnen til grafitt gjør at varmeren raskt kan nå og opprettholde ønsket temperatur, og SiC-belegget sikrer jevn fordeling av varme. Dette er spesielt viktig for halvlederprosesser som krever presis temperaturkontroll, for eksempel rask termisk prosessering (RTP) og kjemisk dampavsetning (CVD).

Ensartet temperatur: Gjennom jevn varmefordeling kan Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater effektivt redusere termisk stress og temperaturgradient, og sikre konsistensen og kvalitetsstabiliteten til halvlederwafere gjennom hele oppvarmingsprosessen.

Anti-korrosjonsbeskyttelse:

Kjemisk motstand: Den kjemiske korrosjonsmotstanden til SiC-belegget gjør at varmeren kan fungere stabilt og lenge i korrosive gass- og kjemiske miljøer, og unngår skade på grafittsubstratet. Denne funksjonen er spesielt kritisk i prosesser som kjemisk dampavsetning (CVD) og plasmaforsterket kjemisk dampavsetning (PECVD).

Oksidasjonsmotstand: Ved høye temperaturer kan SiC-belegg forhindre oksidasjon av grafittsubstratet, forlenge levetiden til varmeren og redusere frekvensen og kostnadene for vedlikehold av utstyr.

Reduser partikkelforurensning:

Overflatestabilitet: SiC-belegg er ikke bare slitesterkt, men forhindrer også at partikler faller av materialoverflaten på grunn av termisk syklus eller kjemiske reaksjoner, og reduserer dermed risikoen for partikkelforurensning som kan oppstå under halvlederproduksjon og sikrer et prosessmiljø med høy renhet.

Forbedre prosesspålitelighet og effektivitet:

Design med lang levetid: På grunn av kombinasjonen av den mekaniske styrken til grafitt og slitestyrken til SiC-belegg, kan Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater opprettholde høyeffektiv drift i lang tid under tøffe prosessforhold, noe som betydelig forbedrer den generelle påliteligheten til utstyret.

Effektiv energiutnyttelse: Den høye termiske ledningsevnen til grafitt og høytemperaturstabiliteten til SiC-belegget gjør at varmeren kan redusere energiforbruket samtidig som den forbedrer temperaturkontrollnøyaktigheten, og forbedrer derved den generelle effektiviteten til halvlederproduksjonen.

Grunnleggende fysiske egenskaper vedSilisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmer:

VeTek SemiconductorSilisiumkarbid keramisk belegg grafittvarmerbutikker:

Oversikt over industrikjeden for halvlederbrikkeepitaxy:

/annen-prosess