VeTek Semiconductor presenterer TaC Coating Susceptor, Med sitt eksepsjonelle TaC-belegg tilbyr denne susceptoren en rekke fordeler som skiller den fra konvensjonelle løsninger. TaC Coating Susceptor fra VeTek Semiconductor er sømløst integrert i eksisterende systemer og garanterer kompatibilitet og effektiv drift. Dens pålitelige ytelse og høykvalitets TaC-belegg gir konsekvent eksepsjonelle resultater i SiC-epitaksiprosesser. Vi er forpliktet til å tilby kvalitetsprodukter til konkurransedyktige priser og ser frem til å være din langsiktige partner i Kina.
VeTek Semiconductors TaC-belagte susceptor og ring fungerer sammen i LPE-silisiumkarbid-epitaksialvekstreaktoren:
Høytemperaturmotstand: TaC-beleggsmottakeren har utmerket motstand mot høye temperaturer, i stand til å motstå ekstreme temperaturer opp til 1500°C i LPE-reaktoren. Dette sikrer at utstyret og komponentene ikke deformeres eller blir skadet under langvarig drift.
Kjemisk stabilitet: TaC-beleggsmottakeren yter eksepsjonelt godt i det korrosive silisiumkarbidvekstmiljøet, og beskytter effektivt reaktorkomponentene mot korrosive kjemiske angrep, og forlenger dermed levetiden.
Termisk stabilitet: TaC-beleggsusceptoren har god termisk stabilitet, opprettholder overflatemorfologien og ruheten for å sikre jevnheten til temperaturfeltet i reaktoren, noe som er gunstig for høykvalitetsveksten av silisiumkarbid-epitaksiallagene.
Anti-kontaminering: Den glatte TaC-belagte overflaten og den overlegne TPD-ytelsen (Temperature Programmed Desorption) kan minimere akkumulering og adsorpsjon av partikler og urenheter inne i reaktoren, og forhindre forurensning av de epitaksiale lagene.
Oppsummert spiller den TaC-belagte susceptoren og ringen en kritisk beskyttende rolle i LPE-silisiumkarbid-epitaksialvekstreaktoren, og sikrer langsiktig stabil drift av utstyret og høykvalitetsvekst av epitaksiallagene.
Fysiske egenskaper til TaC-belegg | |
Tetthet | 14,3 (g/cm³) |
Spesifikk emissivitet | 0.3 |
Termisk ekspansjonskoeffisient | 6,3 10-6/K |
Hardhet (HK) | 2000 HK |
Motstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Termisk stabilitet | <2500℃ |
Grafittstørrelsen endres | -10~-20um |
Beleggtykkelse | ≥20um typisk verdi (35um±10um) |