> Nyheter > Bransjenyheter

Bransjenyheter

Utviklingshistorien til 3C SiC

Gjennom kontinuerlig teknologisk fremgang og dyptgående mekanismeforskning forventes 3C-SiC heteroepitaksial teknologi å spille en viktigere rolle i halvlederindustrien og fremme utviklingen av høyeffektive elektroniske enheter.

Les mer

ALD Atomic Layer Deposition Oppskrift

Romlig ALD, romlig isolert atomlagsavsetning. Waferen beveger seg mellom forskjellige posisjoner og blir utsatt for forskjellige forløpere i hver posisjon. Figuren nedenfor er en sammenligning mellom tradisjonell ALD og romlig isolert ALD.

Les mer

Tantalkarbidteknologi gjennombrudd, SiC epitaksial forurensning redusert med 75%?

Nylig har det tyske forskningsinstituttet Fraunhofer IISB gjort et gjennombrudd innen forskning og utvikling av tantalkarbidbeleggteknologi, og utviklet en spraybeleggløsning som er mer fleksibel og miljøvennlig enn CVD-avsetningsløsningen, og har blitt kommersialisert.

Les mer

Utforskende anvendelse av 3D-utskriftsteknologi i halvlederindustrien

I en tid med rask teknologisk utvikling, endrer 3D-utskrift, som en viktig representant for avansert produksjonsteknologi, gradvis ansiktet til tradisjonell produksjon. Med den kontinuerlige modenhet av teknologi og reduksjon av kostnader, har 3D-utskriftsteknologi vist brede bruksmuligheter på mang......

Les mer

Silisium(Si)-epitaksiprepareringsteknologi

Enkeltkrystallmaterialer alene kan ikke dekke behovene til den voksende produksjonen av ulike halvlederenheter. På slutten av 1959 ble det utviklet et tynt lag av en krystallmaterialevekstteknologi - epitaksial vekst.

Les mer

Basert på 8-tommers silisiumkarbid-enkelkrystallvekstovnsteknologi

Silisiumkarbid er et av de ideelle materialene for å lage enheter med høy temperatur, høy frekvens, høy effekt og høy spenning. For å forbedre produksjonseffektiviteten og redusere kostnadene, er fremstilling av silisiumkarbidsubstrater i stor størrelse en viktig utviklingsretning.

Les mer

<...6 7 8 9 10 >