ALD Atomic Layer Deposition Oppskrift

Romlig ALD, romlig isolert atomlagsavsetning. Waferen beveger seg mellom forskjellige posisjoner og blir utsatt for forskjellige forløpere i hver posisjon. Figuren nedenfor er en sammenligning mellom tradisjonell ALD og romlig isolert ALD.

Temporal ALD,tidsmessig isolert atomlagavsetning. Skiven festes og forløperne innføres og fjernes vekselvis i kammeret. Denne metoden kan behandle waferen i et mer balansert miljø, og dermed forbedre resultatene, for eksempel bedre kontroll over spekteret av kritiske dimensjoner. Figuren nedenfor er et skjematisk diagram av Temporal ALD.

Stoppventil, lukk ventil. Vanligvis brukt i，oppskrifter, brukes til å stenge ventilen til vakuumpumpen, eller åpne stoppventilen til vakuumpumpen.

Forløper, forløper. To eller flere, som hver inneholder elementene til den ønskede avsatte filmen, adsorberes vekselvis på substratoverflaten, med bare en forløper om gangen, uavhengig av hverandre. Hver forløper metter substratoverflaten for å danne et monolag. Forløperen kan sees i figuren nedenfor.

Rensing, også kjent som rensing. Vanlig rensegass, rensegass.Atomisk lagavsetninger en metode for å avsette tynne filmer i atomlag ved sekvensielt å plassere to eller flere reaktanter i et reaksjonskammer for å danne en tynn film gjennom dekomponering og adsorpsjon av hver reaktant. Det vil si at den første reaksjonsgassen tilføres på en pulsert måte for å avsettes kjemisk inne i kammeret, og den fysisk bundne gjenværende første reaksjonsgassen fjernes ved spyling. Deretter danner den andre reaksjonsgassen også en kjemisk binding med den første reaksjonsgassen delvis gjennom puls- og spyleprosessen, og avsetter derved den ønskede filmen på substratet. Rensing kan sees i figuren nedenfor.

Syklus. I atomlagsavsetningsprosessen kalles tiden for hver reaksjonsgass som skal pulseres og renses én gang en syklus.

Atomlags epitaksi.En annen betegnelse for atomlagavsetning.

Trimetylaluminium, forkortet som TMA, trimetylaluminium. I atomlagsavsetning brukes TMA ofte som en forløper for å danne Al2O3. Normalt danner TMA og H2O Al2O3. I tillegg danner TMA og O3 Al2O3. Figuren nedenfor er et skjematisk diagram av Al2O3 atomlagavsetning, ved bruk av TMA og H2O som forløpere.

3-aminopropyltrietoksysilan, referert til som APTES, 3-aminopropyltrimetoksysilan. Iatomlagsavsetning, APTES brukes ofte som en forløper for å danne SiO2. Normalt danner APTES, O3 og H2O SiO2. Figuren nedenfor er et skjematisk diagram av APTES.