4° av aksen p-type SiC Wafer

Som en profesjonell halvlederprodusent i Kina refererer VeTek Semiconductor 4°off akse p-type SiC Wafer til 4H silisiumkarbid (SiC) wafere som avviker 4° fra hovedkrystallretningen til krystallen (vanligvis c-aksen) ved kutting og gjennomgår P-type doping. Dette produktet brukes vanligvis til produksjon av kraftelektroniske enheter og radiofrekvensenheter (RF) i halvlederindustrikjeden, og har utmerkede produktfordeler.

Gjennom skjæring utenfor aksen kan VeTek Semiconductors 4° off-akse p-type SiC Wafer effektivt redusere dislokasjoner og defekter som genereres under veksten av epitaksiallaget, og dermed forbedre kvaliteten på waferen. I tillegg hjelper 4° Off-Axis-orienteringen til å vokse et mer jevnt og defektfritt epitaksiallag, forbedrer kvaliteten på epitaksiallaget og er generelt egnet for produksjon av høyytelsesenheter.

Dessuten kan VeTek Semiconductors 4° off-akse p-type SiC Wafer-produkter få waferen til å ha flere hullbærere og danne en P-type halvleder ved å dope akseptorurenheter (som aluminium eller bor). P-type 4H-SiC-skiver brukes ofte til produksjon av kraftenheter som krever et lag av P-type. Denne typen halvledere har utmerkede elektriske egenskaper.

Sammenlignet med andre polymorfer som 6H-SiC,4H-SiChar høyere elektronmobilitet og elektrisk nedbrytningsfeltstyrke, og er egnet for scenarier med høy frekvens og høy effekt. I tillegg har 4H-SiC-materialer utmerket motstand mot høy spenning og høy temperatur, og kan fungere normalt i tøffe miljøer.

2 tommer 4 tommer 4° av aksen p-type SiC Wafer Størrelsesrelaterte standarder：

6 tommer 4° av aksen p-type SiC Wafer Størrelsesrelaterte standarder：

4° av aksen p-type SiC Wafer Deteksjonsmetoder og terminologi：

VeTek Semiconductor har allerede 4° av aksen p-type 4H-SiC-substrater fra 2-6 tommer.Underlaget er dopet med aluminium og fremstår som blått. Resistiviteten varierer fra 0,1 til 0,7Ω•cm. 

Hvis du har produktkrav for 4° av aksen p-type SiC Wafer, er du velkommen til å konsultere oss.