VeTek Semiconductor's Three-petal Graphite Crucible er en spesiell beholder designet for termisk behandling av halvledermaterialer, spesielt for produksjon av enkeltkrystaller. Det spiller en viktig rolle i å kontrollere veksten av enkeltkrystallstrukturer som kreves for produksjon av halvlederenheter. VeTek Semiconductor's ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
VeTek Semiconductor er en profesjonell produsent og leverandør av grafittdigel med tre kronblad i Kina. Velkommen til å spørre oss! VeTek Semiconductors grafittdigel med tre kronblad er primært laget av grafittmateriale med høy renhet, og tilbyr utmerket termisk stabilitet, kjemisk motstand og termiske ekspansjonsegenskaper. Disse egenskapene gjør det mulig for VeTek Semiconductors trebladede grafittdigel å tåle ekstreme forhold under høytemperaturbehandling.
Grafittdigelen med tre kronblad er nøyaktig utformet for å håndtere de krevende forholdene i halvlederproduksjonsprosesser. Den har en robust sylindrisk design med en glatt indre overflate, noe som letter jevn varmefordeling og krystallvekst. I tillegg er VeTek Semiconductors Graphite Crucible med tre kronblad designet for å minimere risikoen for forurensning av halvledermateriale av urenheter.
Grafittdigelen med tre kronblad viser enestående termisk ledningsevne, og sikrer effektiv varmeoverføring og jevn temperaturfordeling under krystalliseringsprosessen. Dette fremmer jevn krystallvekst og minimerer termiske gradienter som kan påvirke produktkvaliteten.
VeTek Semiconductors Graphite Crucible med tre kronblad finner bred anvendelse i forskjellige produksjonsprosesser for halvledere, inkludert vekst av silisiumblokker med en krystall gjennom teknikker som Czochralski-metoden og flytende sone-metoden. Disse diglene gir et stabilt og kontrollert miljø for presis dannelse av halvlederkrystaller, noe som er avgjørende for å produsere materialer av høy kvalitet for elektroniske enheter.
For detaljerte produktspesifikasjoner for Graphite Crucible med tre kronblad, vennligst kontakt VeTek Semiconductor.
Fysiske egenskaper til isostatisk grafitt | ||
Eiendom | Enhet | Typisk verdi |
Romvekt | g/cm³ | 1.83 |
Hardhet | HSD | 58 |
Elektrisk resistivitet | mΩ.m | 10 |
Fleksibilitetsstyrke | MPa | 47 |
Trykkfasthet | MPa | 103 |
Strekkstyrke | MPa | 31 |
Youngs modul | GPa | 11.8 |
Termisk ekspansjon (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Termisk ledningsevne | W·m-1·K-1 | 130 |
Gjennomsnittlig kornstørrelse | μm | 8-10 |
Porøsitet | % | 10 |
Aske innhold | ppm | ≤10 (etter renset) |