TaC Coating Rotasjons Susceptor

VeTek Semiconductor TaC Coating Rotation Susceptor er en nøkkelkomponent for waferhåndtering i halvlederbehandling. DensTaC Covårhar utmerket høytemperaturtoleranse (smeltepunkt opp til 3880°C), kjemisk stabilitet og korrosjonsbestandighet, som sikrer høy presisjon og høy kvalitet i waferbehandling.

TaC Coating Rotation Susceptor (Tantalum Carbon Coating Rotation Susceptor) er en nøkkelutstyrskomponent som brukes i halvlederbehandling. Det er vanligvis installert ikjemisk dampavsetning (CVD)og molekylær stråleepitaksi (MBE) utstyr for å støtte og rotere wafere for å sikre jevn materialavsetning og effektiv reaksjon. Denne typen produkter forbedrer levetiden og ytelsen til utstyret betydelig i høye temperaturer og korrosive miljøer ved å belegge underlaget medtantalkarbon (TaC) belegg.

TaC Coating Rotation Susceptor er vanligvis sammensatt av TaC Coating og grafitt eller silisiumkarbid som underlagsmateriale. TaC er et keramisk materiale med ultrahøy temperatur med ekstremt høyt smeltepunkt (smeltepunkt opp til 3880°C), hardhet (Vickers hardhet er ca. 2000 HK) og utmerket kjemisk korrosjonsbestandighet. VeTek Semiconductor kan effektivt og jevnt dekke tantalkarbonbelegget på underlagsmaterialet gjennom CVD-teknologi.

Rotasjonssusceptor er vanligvis laget av materialer med høy varmeledningsevne og høy styrke (grafitt ellersilisiumkarbid), som kan gi god mekanisk støtte og termisk stabilitet i høytemperaturmiljøer. Den perfekte kombinasjonen av de to bestemmer den perfekte ytelsen til TaC Coating Rotation Susceptor i støttende og roterende wafere.

TaC Coating Rotation Susceptor støtter og roterer waferen i CVD-prosessen. Vickers-hardheten til TaC er ca. 2000 HK, noe som gjør den i stand til å motstå gjentatt friksjon av materialet og spille en god støttende rolle, og dermed sikre at reaksjonsgassen er jevnt fordelt på waferoverflaten og materialet blir jevnt avsatt. Samtidig gjør den høye temperaturtoleransen og korrosjonsmotstanden til TaC Coating det mulig å brukes i lang tid i høye temperaturer og korrosive atmosfærer, noe som effektivt unngår forurensning av waferen og bæreren.

Dessuten er den termiske ledningsevnen til TaC 21 W/m·K, som har god varmeoverføring. Derfor kan TaC Coating Rotation Susceptor varme opp waferen jevnt under høye temperaturforhold og sikre jevnheten i gassavsetningsprosessen gjennom rotasjonsbevegelse, og dermed opprettholde konsistensen og høy kvalitet tilwafer vekst.

Tantalkarbid (TaC) belegg på et mikroskopisk tverrsnitt：

Fysiske egenskaper til TaC-belegg：

TaC Coating Rotasjons Susceptor butikker: