CVD SiC Pannekake Susceptor

Overlegne fysiske egenskaper

VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor er produsert ved hjelp av den nyeste teknologien for kjemisk dampavsetning (CVD) for å sikre utmerket holdbarhet og ekstrem temperaturtilpasningsevne. Følgende er dens viktigste fysiske egenskaper:

● Termisk stabilitet: Den høye termiske stabiliteten til CVD SiC sikrer stabil ytelse under høye temperaturforhold.

● Lav termisk ekspansjonskoeffisient: Materialet har en ekstremt lav termisk ekspansjonskoeffisient, som minimerer vridning og deformasjon forårsaket av temperaturendringer.

● Kjemisk korrosjonsbestandighet: Utmerket kjemikaliebestandighet gjør at den kan opprettholde høy ytelse i en rekke tøffe miljøer.

Nøyaktig støtte og optimalisert varmeoverføring

VeTekSemis Pancake Susceptor-baserte SiC-belagte er designet for å romme halvlederskiver og gi utmerket støtte under epitaksial avsetning. SiC Pancake Susceptor er designet ved hjelp av avansert beregningssimuleringsteknologi for å minimere vridning og deformasjon under forskjellige temperatur- og trykkforhold. Dens typiske termiske ekspansjonskoeffisient er omtrent 4,0 × 10^^-6/°C, noe som betyr at dens dimensjonsstabilitet er betydelig bedre enn tradisjonelle materialer i høytemperaturmiljøer, og sikrer dermed konsistensen av wafertykkelsen (typisk 200 mm til 300 mm).

I tillegg utmerker CVD Pancake Susceptor seg i varmeoverføring, med en termisk ledningsevne på opptil 120 W/m·K. Denne høye termiske ledningsevnen kan raskt og effektivt lede varme, forbedre temperaturensartetheten i ovnen, sikre jevn varmefordeling under epitaksial avsetning og redusere avsetningsfeil forårsaket av ujevn varme. Optimalisert varmeoverføringsytelse er avgjørende for å forbedre avsetningskvaliteten, noe som effektivt kan redusere prosessfluktuasjoner og forbedre utbyttet.

Gjennom disse design- og ytelsesoptimaliseringene gir VeTek Semiconductors CVD SiC Pancake Susceptor et solid grunnlag for produksjon av halvledere, som sikrer pålitelighet og konsistens under tøffe prosesseringsforhold og oppfyller de strenge kravene til den moderne halvlederindustrien for høy presisjon og kvalitet.

CVD SIC FILM KRYSTALL STRUKTUR

Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiC-belegg

Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiC-belegg
Eiendom	Typisk verdi
Krystallstruktur	FCC β-fase polykrystallinsk, hovedsakelig (111) orientert
Tetthet	3,21 g/cm³
Hardhet	2500 Vickers hardhet (500 g belastning)
Kornstørrelse	2~10μm
Kjemisk renhet	99,99995 %
Varmekapasitet	640 J·kg-1·K-1
Sublimeringstemperatur	2700 ℃
Bøyestyrke	415 MPa RT 4-punkts
Youngs modul	430 Gpa 4pt bøy, 1300 ℃
Termisk ledningsevne	300 W·m-1·K-1
Termisk ekspansjon (CTE)	4,5×10-6K-1