VeTek Semiconductor er en profesjonell produsent og leverandør, dedikert til å tilby høykvalitets ultrarent silisiumkarbidpulver for krystallvekst. Med en renhet på opptil 99,999 % vekt og ekstremt lave urenhetsnivåer av nitrogen, bor, aluminium og andre forurensninger, er den spesielt designet for å forbedre de halvisolerende egenskapene til høyrent silisiumkarbid. Velkommen til å spørre og samarbeide med oss!
Som den profesjonelle produsenten vil VeTek Semiconductor gjerne gi deg høykvalitets ultrarent silisiumkarbidpulver for krystallvekst.
VeTek Semiconductor spesialiserer seg på å tilby ultrarent silisiumkarbidpulver for krystallvekst med varierende renhetsnivåer. Kontakt oss i dag for å lære mer og motta et tilbud. Hev din halvlederforskning og -utvikling med VeTek Semiconductors høykvalitetsprodukter.
VeTek Semiconductor Ultra Pure Silicon Carbide Powder for Crystal Growth er tilberedt ved hjelp av en høytemperatur fastfase-reaksjonsmetode, ved bruk av høyrent silisiumpulver og høyrent karbonpulver som råmateriale. Med en renhet på opptil 99,999 % vekt og ekstremt lave urenhetsnivåer av nitrogen, bor, aluminium og andre forurensninger, er den spesielt designet for å forbedre de halvisolerende egenskapene til høyrent silisiumkarbid.
Renheten til vårt halvlederkvalitets silisiumkarbidpulver når imponerende 99,999 %, noe som gjør det til et utmerket råmateriale for produksjon av enkeltkrystaller av silisiumkarbid. Det som skiller produktet vårt fra andre på markedet er dets bemerkelsesverdige trekk ved høyhastighets krystallvekst. Med krystallveksthastigheter som når 0,2-0,3 mm/t, reduserer det krystallveksttiden betydelig og reduserer de totale produksjonskostnadene.
Kvaliteten på silisiumkarbidpulver er avgjørende for å oppnå høy krystallvekst og krever presise produksjonsprosesser. Vår teknologi involverer termisk separasjon i forskjellige stadier for å fjerne urenheter med varierende egenskaper, noe som resulterer i høyrent halvisolerende silisiumkarbidpulver med lavt nitrogeninnhold. Ved å viderebearbeide pulveret til granuler og bruke termiske syklusteknikker oppfyller vi de dimensjonale vekstkravene til silisiumkarbidkrystaller. Denne teknologien har som mål å forbedre innenlands avanserte halvlederforskningsevner, forbedre materialselvforsyning, adressere internasjonale monopoler og redusere produksjonskostnadene i den innenlandske silisiumkarbidhalvlederindustrien, og til slutt heve dens globale konkurranseevne.