Hjem > Produkter > Silisiumkarbidbelegg > MOCVD-teknologi > SiC Coating Collector Bunn
SiC Coating Collector Bunn
  • SiC Coating Collector BunnSiC Coating Collector Bunn
  • SiC Coating Collector BunnSiC Coating Collector Bunn

SiC Coating Collector Bunn

Med vår ekspertise innen produksjon av CVD SiC-belegg, presenterer VeTek Semiconductor stolt Aixtron SiC Coating Collector Bottom. Denne SiC Coating Collector Botten er konstruert med høyrent grafitt og er belagt med CVD SiC, noe som sikrer urenheter under 5 ppm. Ta gjerne kontakt for mer informasjon og forespørsler.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

VeTek Semiconductor er produsenten forpliktet til å tilby høykvalitets CVD TaC Coating og CVD SiC Coating Collector Bottom og jobber tett med Aixtron-utstyr for å møte behovene til våre kunder. Enten i prosessoptimalisering eller utvikling av nye produkter, er vi klare til å gi deg teknisk støtte og svare på eventuelle spørsmål du måtte ha.

Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center og SiC Coating Collector Bottom produkter. Disse produktene er en av nøkkelkomponentene som brukes i avanserte produksjonsprosesser for halvledere.

Kombinasjonen av Aixtron SiC-belagt Collector Top, Collector Center og Collector Bottom i Aixtron-utstyr spiller følgende viktige roller:

Termisk styring: Disse komponentene har utmerket varmeledningsevne og er i stand til å lede varme effektivt. Termisk styring er avgjørende i halvlederproduksjon. SiC-belegg på Collector Top, Collector Center og Silisiumkarbidbelagt Collector Bottom bidrar til å effektivt fjerne varme, opprettholde passende prosesstemperaturer og forbedre termisk styring av utstyr.

Kjemisk treghet og korrosjonsmotstand: Aixtron SiC-belagt Collector Top, Collector Center og SiC Coating Collector Bottom har utmerket kjemisk treghet og er motstandsdyktig mot kjemisk korrosjon og oksidasjon. Dette gjør dem i stand til å fungere stabilt i tøffe kjemiske miljøer i lange perioder, og gir et pålitelig beskyttelseslag og forlenger levetiden til komponentene.

Støtte for elektronstrålefordampningsprosess (EB): Disse komponentene brukes i Aixtron-utstyr for å støtte elektronstrålefordampningsprosessen. Designet og materialvalget til Collector Top, Collector Center og SiC Coating Collector Bottom bidrar til å oppnå jevn filmavsetning og gir et stabilt underlag for å sikre filmkvalitet og konsistens.

Optimalisering av filmdyrkingsmiljøet: Collector Top, Collector Center og SiC Coating Collector Bottom optimaliserer filmdyrkingsmiljøet i Aixtron-utstyr. Den kjemiske tregheten og termiske ledningsevnen til belegget bidrar til å redusere urenheter og defekter og forbedrer krystallkvaliteten og konsistensen til filmen.

Ved å bruke Aixtron SiC-belagt Collector Top, Collector Center og SiC Coating Collector Bottom, kan termisk styring og kjemisk beskyttelse i halvlederproduksjonsprosesser oppnås, filmvekstmiljøet kan optimaliseres, og kvaliteten og konsistensen til filmen kan forbedres. Kombinasjonen av disse komponentene i Aixtron-utstyr sikrer stabile prosessforhold og effektiv halvlederproduksjon.


Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiC-belegg:

Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiC-belegg
Eiendom Typisk verdi
Krystallstruktur FCC β-fase polykrystallinsk, hovedsakelig (111) orientert
Tetthet 3,21 g/cm³
Hardhet 2500 Vickers hardhet (500 g belastning)
Korn størrelse 2~10μm
Kjemisk renhet 99,99995 %
Varmekapasitet 640 J·kg-1·K-1
Sublimeringstemperatur 2700 ℃
Fleksibilitetsstyrke 415 MPa RT 4-punkts
Youngs modul 430 Gpa 4pt bøyning, 1300 ℃
Termisk ledningsevne 300W·m-1·K-1
Termisk ekspansjon (CTE) 4,5×10-6K-1


Industrikjede:


Produksjonsbutikk


Hot Tags: SiC Coating Collector Bottom, Kina, produsent, leverandør, fabrikk, tilpasset, kjøp, avansert, slitesterk, laget i Kina
Relatert kategori
Send forespørsel
Gi gjerne din forespørsel i skjemaet nedenfor. Vi svarer deg innen 24 timer.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept