- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheter
Kinesiske selskaper utvikler angivelig 5nm-brikker med Broadcom!
I følge utenlandske nyheter avslørte to kilder 24. juni at ByteDance samarbeider med det amerikanske brikkedesignselskapet Broadcom for å utvikle en avansert kunstig intelligens (AI) dataprosessor, som vil hjelpe ByteDance med å sikre tilstrekkelig tilførsel av avanserte brikker midt i spenningene m......
Les mer
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-tommers SiC-brikker forventes å bli satt i produksjon i desember!
Som en ledende produsent i SiC-industrien, har Sanan Optoelectronics' relaterte dynamikk fått bred oppmerksomhet i bransjen. Nylig avslørte Sanan Optoelectronics en rekke siste utviklinger, som involverer 8-tommers transformasjon, ny substratfabrikkproduksjon, etablering av nye selskaper, statlige s......
Les mer
Påføring av TaC-belagte grafittdeler i enkeltkrystallovner
I veksten av SiC- og AlN-enkelkrystaller ved bruk av den fysiske damptransportmetoden (PVT) spiller viktige komponenter som smeltedigel, frøholder og styrering en viktig rolle. Som vist i figur 2 [1], under PVT-prosessen, er frøkrystallen plassert i det lavere temperaturområdet, mens SiC-råmateriale......
Les mer
Ulike tekniske ruter for SiC epitaksial vekstovn
Silisiumkarbidsubstrater har mange defekter og kan ikke bearbeides direkte. En spesifikk en krystall tynn film må dyrkes på dem gjennom en epitaksial prosess for å lage chip wafere. Denne tynne filmen er det epitaksiale laget. Nesten alle silisiumkarbidenheter er realisert på epitaksiale materialer.......
Les mer
Materiale av silisiumkarbidepitaksi
Materialet i epitaksiallaget av silisiumkarbid er silisiumkarbid, som vanligvis brukes til å produsere elektroniske enheter og lysdioder med høy effekt. Den er mye brukt i halvlederindustrien på grunn av sin utmerkede termiske stabilitet, mekaniske styrke og høye elektriske ledningsevne.
Les mer
