Porøs grafitt med høy renhet

Porøs grafitt med høy renhet levert av VeTek Semiconductor er et avansert prosesseringsmateriale for halvledere. Den er laget av høyrent karbonmateriale med utmerket varmeledningsevne, god kjemisk stabilitet og utmerket mekanisk styrke. Denne porøse grafitten med høy renhet spiller en viktig rolle i vekstprosessen av enkeltkrystall SiC. VeTek Semiconductor er forpliktet til å tilby kvalitetsprodukter til konkurransedyktige priser og ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

VeTek Semiconductor høykvalitets porøs grafitt med høy renhet tilbys av den kinesiske produsenten VeTek Semiconductor. Kjøp VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite som er av høy kvalitet direkte til lav pris.

VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite er et mesterverk av varmebestandige materialer, i stand til å motstå de ekstreme temperaturene som finnes i halvlederovner. Dens overlegne holdbarhet og lang levetid betyr færre utskiftninger og mindre nedetid, noe som resulterer i betydelige kostnadsbesparelser over tid.

Vi produserer porøs grafitt med høy renhet fra karbonkilder av høyeste kvalitet for å sikre minimalt med urenheter og minimal risiko for forurensning. Denne høye renheten betyr høyere ytelser og overlegen ytelse fra halvlederenheter.

Velg porøs grafitt med høy renhet, der dens eksepsjonelle termiske stabilitet sikrer jevn ytelse, noe som gjør den ideell for kritisk halvlederbehandling.

Oppgrader halvlederproduksjonen din i dag for å bruke porøs grafitt med høy renhet – et materiale som endrer måten vi produserer morgendagens teknologi på. Kontakt oss i dag for å diskutere dine spesifikke behov og begi deg ut på en innovasjonsreise innen halvlederproduksjon. La oss jobbe sammen for å skape en overlegen fremtid for produksjon av halvledere!

Produktparameter for porøs grafitt med høy renhet

Typiske fysiske egenskaper for porøs grafitt
ltems	Parameter
Romvekt	0,89 g/cc
Trykkfasthet	8,27 MPa
Bøyestyrke	8,27 MPa
Strekkstyrke	1,72 MPa
Spesifikk motstand	130Ω-inX10-5
Porøsitet	50 %
Gjennomsnittlig porestørrelse	70 um
Termisk ledningsevne	12W/M*K